Transistor Dual Q1 (MRF-1550NFT1) para Amplificador TPL PA31AC.

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Características Principales Transistor dual Q1 (MRF-1550NFT1) Para amplificador TPL PA31AC MOSFET de canal N, modo de enriquecimiento lateral Diseñado para aplicaciones de ba nda ancha hasta 175 MHz Alta ganancia y estabilidad térmica Paquete plástico capaz de 200°C Terminales libres de plomo, cumplen con RoHS Especificaciones RF Frecuencia máxima: 175 MHz Potencia de salida: 50 W Tensión de alimentación: 12.5 V Ganancia de potencia: 14.5 dB Eficiencia: 55% Impedancia de entrada: 4.1 + j0.5 Ω @ 135 MHz Impedancia de salida: 1.0 + j0.6 Ω @ 135 MHz Especificaciones Eléctricas Tensión drenaje-fuente: -0.5 a +40 Vdc Tensión compuerta-fuente: ±20 Vdc Corriente de drenaje: 12 Adc Disipación total: 165 W @ 25°C Resistencia térmica: 0.75°C/W Temperatura de unión: 200°C Temperatura de almacenamiento: -65 a +150°C Características de RF Capacitancia de entrada (Ciss): 500 pF Capacitancia de salida (Coss): 250 pF Capacitancia de transferencia (Crss): 35 pF Impedancia de entrada: 4.1 + j0.5 Ω Impedancia de salida: 1.0 + j0.6 Ω Características de Polarización Voltaje umbral (VGS(th)): 1 a 3 Vdc Resistencia drenaje-fuente (RDS(on)): 0.5 Ω Voltaje drenaje-fuente (VDS(on)): 1 Vdc Corriente de polarización (IDQ): 500 mA Tensión de polarización: 12.5 Vdc Características Térmicas Resistencia térmica (RθJC): 0.75°C/W Disipación total: 165 W @ 25°C Derating: 0.50 W/°C sobre 25°C Temperatura de unión: 200°C Temperatura de almacenamiento: -65 a +150°C Características de Aplicación Impedancia de entrada: 10 Ω Frecuencia: 175 MHz Red de coincidencia: Paralelo resistor y capacitor en la compuerta Temperatura de operación: 25°C Corriente de polarización: 500 mA Aplicaciones Amplificadores de potencia RF Equipos móviles de 12.5 V Sistemas de comunicación comercial e industrial Sistemas de FM móviles Diseños de banda ancha (135-175 MHz) Sistemas de comunicación de alta confiabilidad Características de Diseño Paquete de montaje superficial Diseñado para montaje automático Red de coincidencia de entrada/salida Capacitancia de entrada incluida Redes de polarización simples Compatibilidad con técnicas de montaje SMT Información de Manejo Sensibilidad a descargas electrostáticas Requiere precauciones en manejo y empaque Nivel de sensibilidad húmedad: Clase 3 Temperatura máxima de pico de reflujo: 260°C Compatibilidad con proceso de reflujo Requiere disipación térmica adecuada Características de Fiabilidad Vida útil calculada (MTTF) en horas x A² Correlación de pruebas a alta temperatura ±10% Factor de vida útil vs temperatura de unión Diseñado para operación a 200°C Factor de MTTF disminuye con el cuadrado de la corriente Parámetros S (12.5 Vdc, 500 mA) @ 50 MHz: |S11| = 0.93, |S21| = 4.817, |S12| = 0.009, |S22| = 0.86 @ 100 MHz: |S11| = 0.94, |S21| = 2.212, |S12| = 0.009, |S22| = 0.88 @ 150 MHz: |S11| = 0.95, |S21| = 1.349, |S12| = 0.008, |S22| = 0.90 @ 200 MHz: |S11| = 0.95, |S21| = 0.892, |S12| = 0.006, |S22| = 0.92 @ 250 MHz: |S11| = 0.96, |S21| = 0.648, |S12| = 0.005, |S22| = 0.93 Parámetros S (continuación) @ 300 MHz: |S11| = 0.97, |S21| = 0.481, |S12| = 0.004, |S22| = 0.95 @ 350 MHz: |S11| = 0.97, |S21| = 0.370, |S12| = 0.005, |S22| = 0.95 @ 400 MHz: |S11| = 0.98, |S21| = 0.304, |S12| = 0.001, |S22| = 0.97 @ 450 MHz: |S11| = 0.98, |S21| = 0.245, |S12| = 0.005, |S22| = 0.97 @ 500 MHz: |S11| = 0.98, |S21| = 0.209, |S12| = 0.003, |S22| = 0.97 Características de Diseño de Amplificador Redes de coincidencia similares a transistores bipolares Resistencia térmica mejorada para disipación Diseño para aplicaciones de VHF y UHF Red de polarización con divisor de tensión Compensación de capacitancias parásitas Red de protección de compuerta Características de Protección Soporta VSWR de 20:1 Protección contra sobretemperatura Compensación de corriente de fuga Red de protección externa recomendada Diseño robusto para cargas mal acopladas Show more