カテゴリ: 論文誌(論文単位)グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門発行日: 2013/10/01タイトル(英語): Detection of Defects in EUVL Mask using Coherent EUV Source著者名: 永田 豊（理化学研究所基幹研究所／兵庫県立大学高度産業科学技術研究所／科学技術振興機構 CREST），原田 哲男（兵庫県立大学高度産業科学技術研究所／科学技術振興機構 CREST），渡邊 健夫（兵庫県立大学高度産業科学技術研究所／科学技術振興機構 CREST），緑川 克美（理化学研究所基幹研究所），木下 博雄（理化学研究所基幹研究所／兵庫県立大学高度産業科学技術研究所／科学技術振興機構 CREST）著者名(英語): Yutaka Nagata (RIKEN ASI/University of Hyogo LASTI/JST CREST), Tetsuo Harada (University of Hyogo LASTI/JST CREST), Takeo Watanabe (University of Hyogo LASTI/JST CREST), Katsumi Midorikawa (RIKEN ASI), Hiroo Kinoshita (RIKEN ASI/University of Hyogo LASTI/JST CREST)キーワード: EUVリソグラフィ，コヒーレントスキャトロメトリー顕微鏡，コヒーレントEUV光，高次高調波 EUV lithography，coherent scatterometry microscope，coherent EUV light，high order harmonics要約(英語): The detection and evaluation of printable defects in extreme ultraviolet lithography (EUV) masks are one of the most critical issues for high-volume manufacturing of next generation semiconductor. The coherent EUV scatterometry microscope is a strong candidate for high-precision inspection of defects. We have developed the high-order harmonics generation system to generate coherent EUV light using the commercial table-top laser system. The low beam divergence was measured to be 0.18mrad for 13.5nm (59th) high-order harmonics. The spatially coherent, 59th harmonics was improved the contrast ratio of diffraction images. Defect signals were observed from the 2-nm width line-defect in the 88-nm line-and-space (L/S) pattern and the 54-nm defect in the 360nm pitch pattern using coherent scatterometry microscope equipped with high-order harmonics generation system as a practical coherent EUV light source.本誌: 電気学会論文誌A（基礎・材料・共通部門誌） Vol.133 No.10 （2013） 特集：リソグラフィとその関連技術・応用技術本誌掲載ページ: 509-518 p原稿種別: 論文／日本語電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/133/10/133_509/_article/-char/ja/
