カテゴリ: 論文誌(論文単位)グループ名: 【C】電子・情報・システム部門発行日: 2016/11/01タイトル(英語): Practical Evaluation of GaN Heterojunction-Field-Effect-Transistor (HFET)-applied Zero Voltage Soft-Switching Resonant Converter for Inductive Power Transfer著者名: 森田 栄太郎（神戸大学大学院海事科学研究科マリンエンジニアリング講座），三島 智和（神戸大学大学院海事科学研究科マリンエンジニアリング講座）著者名(英語): Eitaro Morita (Graduate Sch. of Maritime Science, Kobe University), Tomokazu Mishima (Graduate Sch. of Maritime Science, Kobe University)キーワード: 共振形コンバータ，非接触給電応用，GaNパワーデバイス，ソフトスイッチング，高効率化，スイッチングノイズ低減 resonant dc-dc converter，inductive power transfer (IPT) applications，GaN power devices，soft switching，high-efficiency power conversion，switching noise reduction要約(英語): This paper presents a novel prototype of a soft-switching resonant dc-dc power converter with high breakdown-voltage Gallium Nitride Heterojunction-Field-Effect-Transistor (GaN-HFET) for inductive power transfer (IPT) systems. The edge-resonant zero voltage soft-switching (ZVS) operation using lossless snubbing capacitors is essential for effective reduction of switching power losses and noises with low threshold voltage of the GaN-HFET. The excellent performances such as high efficiency, low switching noises and normally-off operation are originally demonstrated in experiment of a 950W prototype by comparing with a super-junction (SJ)-MOSFET based prototype under the fair conditions of breakdown-voltage and current rating. The feasibility of GaN-HFET-applied IPT-ZVS converter is discussed from a practical point of view.本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.136 No.11 （2016） 特集：電気関係学会関西連合大会本誌掲載ページ: 1511-1518 p原稿種別: 論文／日本語電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/136/11/136_1511/_article/-char/ja/
