カテゴリ: 論文誌(論文単位)グループ名: 【C】電子・情報・システム部門発行日: 2017/02/01タイトル(英語): Investigation of Maximum Junction Temperature for 4H-SiC MOSFET during Unclamped Inductive Switching Test著者名: 安 俊傑（筑波大学大学院数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻），生井 正輝（筑波大学大学院数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻），岡本 大（筑波大学大学院数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻），矢野 裕司（筑波大学大学院数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻），只野 博（筑波大学大学院数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻），岩室 憲幸（筑波大学大学院数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻）著者名(英語): Junjie An (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba), Masaki Namai (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba), Dai Okamoto (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba), Hiroshi Yano (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba), Hiroshi Tadano (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba), Noriyuki Iwamuro (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba)キーワード: 最大接合温度，SiC MOSFET，UISスイッチング Maximum junction temperature，SiC MOSFET，Unclamped inductive switching要約(英語): Normally, thermal breakdown is one of the serious failure phenomena in the power device application, which drives the researchers to focus on exploration of the failure mechanism and the new evaluation method for power device. In this paper, unclamped inductive switching (UIS) test is presented to evaluate energy handing ability and maximum junction temperature of 1200V/19A SiC MOSFET during avalanche mode. It is verified that commercial 1200V/19A SiC MOSFET can easily withstand almost ten microseconds avalanche time and around 924 K maximum junction temperature with 1 mH inductance and 400 V DC bus at the case temperature of 300 K in avalanche mode. In addition, three reasonable evaluation methods of the maximum junction temperature for SiC MOSFET are summarized at different case temperatures.本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.137 No.2 （2017） 大特集：電子・情報・システム部門誌 30周年記念「電子・情報・システム技術によるイノベーション」本誌掲載ページ: 216-221 p原稿種別: 論文／日本語電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/137/2/137_216/_article/-char/ja/
