Transistor de Potencia MOSFET para 175 / 530 MHz, 70 Watt.

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Características principales Potencia de salida de hasta 84W típicamente Eficiencia del drenaje del 74% a 175 MHz Empaque en cinta y carrete: 500 unidades por carrete Diodo integrad o de protección para la puerta Diseñado para amplificadores VHF/UHF de alta potencia Especificaciones eléctricas Tensión drenaje-fuente: 40V (máx.) Tensión puerta-fuente: -5/+10V Disipación del canal: 300W Corriente de drenaje: 20A (máx.) Temperatura de canal: 175°C Resistencia térmica: 0.5°C/W Desempeño RF Potencia de salida: 84W típico a 175MHz Eficiencia: 74% típico a 175MHz Potencia de entrada: 4.0W a 175MHz Potencia de salida: 75W típico a 530MHz Eficiencia: 64% típico a 530MHz Potencia de entrada: 5.5W a 530MHz Frecuencia de operación Rango VHF: 135-175 MHz Rango UHF: 450-530 MHz Frecuencias típicas: 135, 155, 175, 450, 490, 530 MHz Condiciones de prueba Tensión de prueba: 12.5V Corriente de polarización: 1.0A total / 0.5A por lado Impedancia: 50Ω Tasa de VSWR: 20:1 Compatibilidad Cumple con RoHS Plomo en soldaduras de alta temperatura (más del 85%) Excepción aplicable: Soldaduras de alta temperatura Aplicaciones Etapa de salida de amplificadores de alta potencia Sistemas de radio móvil VHF/UHF Equipos de comunicación de banda ancha Condiciones ambientales Temperatura de operación: -40°C a 175°C Temperatura de almacenamiento: -40°C a 175°C Temperatura de prueba: 25°C (a menos que se indique) Características eléctricas típicas Corriente de drenaje sin tensión de puerta: 150μA Corriente de fuga puerta-fuente: 2.5μA Tensión umbral de puerta: 1.6V (mín.) - 2.4V (máx.) Configuración del circuito Paquete de moldeado Conexión de múltiples electrodos Diseño para evaluación VHF (135-175MHz) Composición del paquete Material: Silicio Encapsulado: Paquete de molde Configuración de pines Cumple con estándares RoHS Configuración de pines 1. Fuente (común) 2. Drenaje 3. Drenaje 4. Fuente (común) 5. Fuente (común) 6. Puerta 7. Puerta 8. Fuente (común) 9. Fuente (común) Características de diseño Diseño para alta eficiencia Optimizado para VHF/UHF Conexión de múltiples electrodos Construcción de bajo ESR Evaluación y prueba Evaluación en placa de prueba VHF Impedancia característica: 50Ω Material del sustrato: Epoxi de vidrio Const. dieléctrica: 4.8 @1GHz Tangente de pérdida: 0.018 @1GHz Documentación: AN-VHF-049 Componentes asociados Capacitores cerámicos de alta Q Bobinas de precisión Resistencias de chip SMD Capacitores electrolíticos de 220μF Show more