Características Principales Transistor MOSFET de potencia para aplicaciones VHF/UHF Diseñado para frecuencias de 175 MHz y 530 MHz Potencia de salida: 75W (530 MHz) y 84W (175 MHz) Eficiencia de drenador: 64% (530 MHz) y 74% (175 MHz) Tensión de alimentación: 12.5V Corriente de drenador: 20A máximo Diodo integrado de protección de puerta Paquete moldeado para mayor robustez Suministrado en cinta y carrete (500 unidades por carrete) Cumple con estándares RoHS Especificaciones Técnicas Tensión drenador-fuente: 40V (máx) Tensión puerta-fuente: -5/+10V (máx) Corriente de drenador: 20A (máx) Disipación de potencia: 425W (teórico en disipador infinito) Temperatura de operación: -40°C a +175°C Resistencia térmica: 0.17°C/W (mínimo) Impedancia de entrada: 50Ω Capacitancia de entrada: 300pF (típico a 1MHz) Capacitancia de salida: 150pF (típico a 1MHz) Capacitancia de retroalimentación: 50pF (típico a 1MHz) Aplicaciones Etapa de salida de amplificadores de alta potencia Sistemas de comunicación móvil en bandas VHF/UHF Equipos de radio base y móviles Sistemas de comunicaciones de emergencia Equipos de comunicación industrial Sistemas de radiodifusión Equipos de prueba y medición RF Características RF Frecuencia: 175MHz / 530MHz Potencia de entrada: 4-5W Potencia de salida: 70-84W Impedancia: 50Ω Relación de onda estacionaria (VSWR): 65:1 (máx) Características Eléctricas Tensión de umbral: 1.6V - 2.4V Corriente de fuga: 150μA (máx) Corriente de puerta: 2.5μA (máx) Transconductancia: 200mS (mín) Capacitancia de entrada: 300pF (típico) Condiciones de Operación Tensión de operación: 12.5V Corriente de polarización: 1.0A Temperatura de operación: -40°C a +175°C Impedancia de carga: 50Ω Modulación: TETRA, π/4DQPSK Características de RF Ancho de banda: 135-530MHz Respuesta de frecuencia: 175MHz y 530MHz optimizados Estabilidad: Diseño robusto con diodo de protección Linealidad: Excelente para señales moduladas Distorsión: Mínima en todo el rango de operación Condiciones de Prueba Frecuencia de prueba: 135MHz a 530MHz Tensión de prueba: 12.5V Corriente de prueba: 1.0A Impedancia de prueba: 50Ω Temperatura de prueba: 25°C Características Térmicas Resistencia térmica: 0.17°C/W (mín) Temperatura de almacenamiento: -40°C a +175°C Disipación: 425W (en disipador infinito) Características de Paquete Tipo de paquete: Paquete moldeado Conexiones: Drenador, fuente, puerta Montaje: Montaje en superficie Material: Silicio Estilo: Discreto Condiciones de Garantía RoHS: Cumple con directivas RoHS Pruebas: 22 piezas por lote Garantía: 1 año Almacenamiento: -40°C a +175°C Condiciones: Tc=25°C a menos que se indique Condiciones de Prueba RF Impedancia: 50Ω Frecuencia: 175MHz y 530MHz Tensión: 12.5V Corriente: 1.0A Temperatura: 25°C Condiciones de Estrés VSWR: 65:1 (todas las fases) Tensión: 16.3V (máx) Temperatura: 25°C (prueba) Impedancia: 50Ω Corriente: 2x500mA Características de Linealidad Distorsión: Mínima Intermodulación: -30dBc (máx) ACLR: -45dBc (mín) IMD3: -40dBc (máx) IMD5: -50dBc (máx) Condiciones de Prueba de Linealidad Modulación: TETRA, π/4DQPSK Filtro: Nyquist raíz (α=0.35) Tasa de símbolos: 18ksps Ancho de banda: 18kHz Canal: 25kHz
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